电容值：0.1 μF (100 nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：63 V DC
　　温度特性：X7R (±15% 变化范围，-55°C 至 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：多层陶瓷（Class II）
　　直流电阻（DCR）：极低，典型值小于10 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：约10 MHz（取决于具体布局）
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ 或 ≥100 MΩ·μF
　　老化率：≤2.5% / decade at 25°C

TH11-4H104FT所采用的X7R类陶瓷介质具备良好的温度稳定性，在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合在环境温度波动较大的工业与汽车电子系统中使用。相比Y5V等其他二类陶瓷材料，X7R在电容稳定性方面表现更优，虽然其介电常数略低，但综合性能更为均衡。该电容器的多层结构设计显著提升了单位体积下的电容密度，使其在有限的空间内实现较高的储能能力。此外，由于其低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），TH11-4H104FT在高频去耦和电源噪声滤波应用中表现出色，能有效抑制开关电源带来的高频干扰。
　　该器件为无极性元件，适用于交流和直流电路，且具备优异的抗湿性和机械强度，符合现代电子产品对高可靠性的要求。其1210（3225）封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，适合回流焊工艺，并可在自动贴片生产线上高效装配。值得注意的是，此类MLCC在实际应用中需关注电压系数效应——即在接近额定电压时，实际电容值会因铁电材料的非线性特性而显著下降。因此，在关键滤波电路中建议降额使用，例如在50V以上工作电压场合应选择更高耐压规格的产品以保证性能稳定。同时，热应力和板弯可能导致陶瓷开裂，设计时应避免在PCB应力集中区域布放此类器件。

TH11-4H104FT因其0.1 μF的常用容值和63V的耐压水平，被广泛应用于各类电子系统的电源去耦和噪声滤波环节。在数字电路中，它常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，作为局部储能元件，吸收瞬态电流波动，降低电源轨道上的电压纹波，从而提高系统稳定性。在开关电源（SMPS）设计中，该电容可用于输入/输出滤波网络，配合电感构成LC滤波器，有效衰减高频开关噪声，满足电磁兼容（EMC）要求。
　　此外，该器件也适用于模拟信号链中的耦合与旁路应用，如音频放大器、传感器信号调理电路等，能够隔离直流分量并传递交流信号。在工业控制设备、医疗仪器、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）和消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中，TH11-4H104FT常作为标准去耦电容批量使用。其宽温特性和高可靠性也使其适用于车载电子系统，例如车身控制模块、仪表盘和ADAS辅助系统中的非安全关键电路。在LED驱动电源、逆变器和DC-DC转换器等功率电子设备中，该电容可用于缓冲和滤波，提升整体效率与寿命。