时间：2025/9/14 10:00:19
阅读：3
PSMN5R3-25MLDX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。PSMN5R3-25MLDX 采用 LFPAK56 封装（也称为 Power-SO8 封装），具有良好的散热性能和高可靠性，适用于高电流和高效率的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：25 V
栅源电压（Vgs）：±12 V
连续漏极电流（Id）：95 A
导通电阻（Rds(on)）：5.3 mΩ @ Vgs = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN5R3-25MLDX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 5.3 mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高整体效率。该器件采用 Nexperia 的先进的 Trench 技术，优化了沟道结构，提升了电流承载能力和热稳定性。
此外，该 MOSFET 具有高电流能力，连续漏极电流可达 95 A，适合用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围为 ±12 V，支持标准逻辑电平驱动，便于与各类控制器或驱动 IC 配合使用。
LFPAK56 封装是 PSMN5R3-25MLDX 的一大亮点，相较于传统的 TO-252 或 TO-263 封装，LFPAK56 提供了更好的热性能和电气性能，同时支持双面散热，有助于提高 PCB 布局的灵活性和热管理能力。
该器件还具备出色的耐用性和稳定性，工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，能够适应严苛的工业和汽车应用环境。此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，进一步增强了系统的可靠性。
PSMN5R3-25MLDX 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和高电流能力的场合。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源模块以及汽车电子系统中的功率控制模块。
在 DC-DC 转换器中，PSMN5R3-25MLDX 可作为高边或低边开关使用，其低 Rds(on) 和高电流能力可显著降低传导损耗，提高转换效率。在负载开关和热插拔应用中，该器件能够快速响应过流和过温保护，确保系统的安全运行。
在汽车电子领域，PSMN5R3-25MLDX 适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车环境的严苛要求。
此外，该器件也适用于高密度电源模块设计，如 POL（Point of Load）转换器、服务器电源和通信设备电源系统，其 LFPAK56 封装有助于实现更紧凑的 PCB 布局和更优的热管理。
PSMN4R8-25MLDX, PSMN5R9-25MLD, PSMN6R8-25MLD, BSC090N03MS
