时间：2025/6/25 8:38:35
阅读：5
IPZ40N04S5L-2R8是一款基于沟槽栅场效应晶体管技术的肖特基功率MOSFET，由Infineon Technologies制造。该器件采用DPAK封装形式，适合于要求高效率和低导通损耗的应用场景。此型号具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
其内部采用了先进的硅工艺和封装技术，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：11nC
反向恢复时间：30ns
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：DPAK（TO-263）
IPZ40N04S5L-2R8的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.8mΩ），从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
2. 高额定电流能力（40A），使得它可以应用于大功率电路设计。
3. 快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷和短的反向恢复时间，这有助于降低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃），确保了其在各种恶劣环境中的可靠运行。
5. 具备优异的热性能，能够有效散热以维持稳定的工作状态。
6. 小型化的DPAK封装，简化了PCB布局并节省了空间。
这款功率MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中作为主开关元件。
2. 各类DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构中的功率级开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 电动汽车充电设备和可再生能源系统中的逆变器部分。
5. 工业自动化控制系统的功率模块。
由于其高效性和可靠性，IPZ40N04S5L-2R8成为许多高要求应用的理想选择。
IPW40N04S5L-2R8, IRFZ44N
