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GXM1551X1HR70BA02J 发布时间 时间:2025/7/1 16:04:28 查看 阅读:9

GXM1551X1HR70BA02J是一款由知名半导体制造商生产的高性能功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计目标是满足工业、汽车及消费电子市场对高效能和可靠性的严格要求。
  这款功率MOSFET支持高频操作,并具有优异的动态特性,能够在各种严苛的工作条件下保持稳定运行。同时,它还集成了多种保护功能,如过流保护和热关断机制,进一步提升了系统的安全性和可靠性。

参数

型号:GXM1551X1HR70BA02J
  类型:N-Channel MOSFET
  :60V
  连续漏极电流(Id):140A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ
  栅极电荷(Qg):90nC
  总电容(Ciss):4380pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GXM1551X1HR70BA02J具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为1.3mΩ,从而显著降低了导通损耗,提高了系统效率。
  2. 高额定电流能力,最大可承受140A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,栅极电荷Qg为90nC,有助于减少开关损耗并提升频率响应。
  4. 宽广的工作温度范围,从-55℃到175℃,适应各种恶劣环境。
  5. 内置多重保护机制,包括过流保护和热关断功能,增强了系统的可靠性和安全性。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合长期使用。
  7. TO-247-3封装形式,易于安装和散热管理,能够有效降低热阻。

应用

GXM1551X1HR70BA02J广泛应用于以下领域:
  1. 高效DC-DC转换器和AC-DC适配器,在这些应用中,其低导通电阻和快速开关能力可以显著提升能量转换效率。
  2. 电动车辆(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制器,提供强大的电流承载能力和可靠的运行性能。
  3. 工业自动化设备中的伺服驱动器和逆变器,确保精确控制和高效运行。
  4. 大功率LED驱动电路,满足照明领域的高电流需求。
  5. UPS不间断电源系统和太阳能逆变器,为能源管理和转换提供关键支持。
  6. 各种消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块,实现高效和稳定的电力供应。

替代型号

GXM1551X1HR70BA01K, GXM1551X1HR70BA03L

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