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APT50GP60B2DQ2G 发布时间 时间:2025/7/26 4:15:31 查看 阅读:11

APT50GP60B2DQ2G 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于需要高功率和高效率的电力电子设备中。该模块集成了两个 IGBT 单元和两个反并联二极管,采用双列直插式封装(DIP)设计,适合于高频率和高功率应用场景。

参数

类型:IGBT 模块
  集电极-发射极电压(Vce):600 V
  集电极电流(Ic):50 A
  最大工作温度:150 ℃
  封装类型:DIP
  安装类型:通孔安装
  短路耐受能力:600 V/50 A
  工作温度范围:-40 ℃ 至 150 ℃

特性

APT50GP60B2DQ2G 具有优异的电气和热性能,能够承受高电压和大电流。其低饱和压降特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。模块内部集成的反并联二极管进一步提高了系统的可靠性和效率。APT50GP60B2DQ2G 还采用了先进的封装技术,确保了良好的绝缘性能和机械稳定性,适用于各种严苛的工业环境。
  该模块的双列直插式封装设计使得安装和维护更加方便,适用于自动化生产和维修。其高集成度和紧凑的结构设计也有助于减少整体系统的体积和重量,提高系统的功率密度。此外,APT50GP60B2DQ2G 的高可靠性使其在长时间运行中表现出色,降低了故障率和维护成本。

应用

APT50GP60B2DQ2G 广泛应用于各种高功率电力电子设备中,如变频器、逆变器、电源转换系统以及电机驱动器。在工业自动化领域,该模块可用于高性能电机控制和电源管理。在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,APT50GP60B2DQ2G 能够提供高效的能量转换和稳定的电力输出。此外,该模块也适用于电动汽车充电设备、储能系统和智能电网等现代电力电子应用。

替代型号

APT50GP60B2DQ2, APT50GP60B2DQ3G

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APT50GP60B2DQ2G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列POWER MOS 7®
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 功率 - 最大625W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件
  • 其它名称APT50GP60B2DQ2GMIAPT50GP60B2DQ2GMI-ND