GA1206Y223MBCBT31G 是一款高性能的功率放大器模块,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该模块集成了先进的 GaN(氮化镓)技术,能够在高频率和高功率下提供卓越的性能。
它适用于基站、雷达和其他需要高效率和高增益的应用场景。其设计紧凑,能够有效减少系统的整体尺寸和重量。
型号:GA1206Y223MBCBT31G
工作频率范围:3.3 GHz 至 4.2 GHz
输出功率:50 W (典型值)
增益:12 dB (典型值)
效率:超过 60% (典型值)
供电电压:28 V
静态电流:7 A (最大值)
封装形式:表面贴装 (SMT)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
该芯片采用了最新的氮化镓工艺,相比传统硅基功率放大器,具有更高的功率密度和效率。此外,它还具备出色的线性度和热管理能力,使其非常适合在苛刻环境中使用。
内置匹配网络简化了设计流程,并减少了外部组件的需求。同时,它支持多种调制方式,包括 OFDM 和 QAM,满足现代通信标准的要求。
由于其高可靠性和稳定性,GA1206Y223MBCBT31G 在长时间运行中表现优异,特别适合需要持续高功率输出的场景。
主要应用于无线基础设施设备,例如宏基站和小基站。此外,它也广泛用于军事雷达系统、卫星通信终端以及点对点微波链路等。
在工业领域,这款功率放大器可用于材料加热、等离子体生成以及其他需要高频能量转换的场合。同时,它也是测试测量仪器的理想选择,为实验环境提供精确的射频信号源。
GA1206Y222MBCBT31G, GA1206Y224MBCBT31G