SH3018100YLB 是一款由 Sanken(三健电子)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等高频开关电源电路中。该器件采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。SH3018100YLB 的封装形式为 TO-252(DPAK),适用于表面贴装工艺,适合中高功率应用。该 MOSFET 设计用于在高频率下工作,有助于减小外部元件的尺寸并提升整体系统的功率密度。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):180A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
SH3018100YLB 具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on))仅为 1.8mΩ,这大大降低了导通损耗,提高了电源转换效率。该 MOSFET 使用沟槽结构技术,使得器件在高电流下仍能保持良好的稳定性和热管理性能。
其次,该器件支持高达 180A 的连续漏极电流,适用于高功率密度设计,如服务器电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。此外,SH3018100YLB 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(通常为 4.5V 至 10V),便于与多种控制器或驱动器配合使用。
其 TO-252 封装形式不仅支持表面贴装工艺,提高生产效率,同时具备良好的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能可靠运行。该 MOSFET 还具备较强的短路耐受能力,提升了系统在异常工况下的稳定性。
最后,SH3018100YLB 在设计中考虑了高 dv/dt 抗扰度,确保在高速开关应用中减少误触发的风险。这些特性使其成为高性能电源系统中的理想选择。
SH3018100YLB 广泛应用于多种高功率和高频电源系统中。常见的应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、服务器电源、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及高效率电源模块等。由于其高电流能力和低导通电阻,它特别适合需要高效率和紧凑设计的电源应用,如电信设备、工业自动化系统、便携式充电设备和电动车电源管理系统等。此外,该 MOSFET 也适用于需要快速开关性能的 PWM 控制电路和功率放大器设计。
SiS828DY, IRF1807, NexFET CSD18540Q5B