SH3018100YLB 时间：2025/9/3 19:18:06 阅读：25

SH3018100YLB 是一款由 Sanken（三健电子）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等高频开关电源电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。SH3018100YLB 的封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，适合中高功率应用。该 MOSFET 设计用于在高频率下工作，有助于减小外部元件的尺寸并提升整体系统的功率密度。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SH3018100YLB 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 1.8mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该 MOSFET 使用沟槽结构技术，使得器件在高电流下仍能保持良好的稳定性和热管理性能。
　　其次，该器件支持高达 180A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计，如服务器电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。此外，SH3018100YLB 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为 4.5V 至 10V），便于与多种控制器或驱动器配合使用。
　　其 TO-252 封装形式不仅支持表面贴装工艺，提高生产效率，同时具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能可靠运行。该 MOSFET 还具备较强的短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的稳定性。
　　最后，SH3018100YLB 在设计中考虑了高 dv/dt 抗扰度，确保在高速开关应用中减少误触发的风险。这些特性使其成为高性能电源系统中的理想选择。

应用

SH3018100YLB 广泛应用于多种高功率和高频电源系统中。常见的应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、服务器电源、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及高效率电源模块等。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合需要高效率和紧凑设计的电源应用，如电信设备、工业自动化系统、便携式充电设备和电动车电源管理系统等。此外，该 MOSFET 也适用于需要快速开关性能的 PWM 控制电路和功率放大器设计。