时间：2025/5/12 15:33:18
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SUD50N03-7M3P是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装。该器件适用于需要高效率、低导通电阻的应用场景，例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等。其额定电压为30V，连续漏极电流可达50A，具备出色的开关特性和热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
栅源开启电压：2.5V~4.0V
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总栅极电荷：11nC
输入电容：1480pF
反向传输电容：145pF
工作温度范围：-55℃~175℃
SUD50N03-7M3P具有非常低的导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够显著降低传导损耗和开关损耗。此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了较高的可靠性和稳定性。其封装形式TO-263提供了良好的散热性能，适合大电流和高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具备快速开关速度，有助于提高整体系统的效率，并且由于其低电容特性，可以减少驱动电路的复杂性及功耗。同时，它的高温适应能力也使其非常适合工业级或汽车级应用环境。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电池管理系统(BMS)
- 电机控制和驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率管理模块
SUD50N03L, IRF540N, FDP50N03L
