类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：17A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

SU3017470YLB 具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力（17A），适合用于高功率密度的设计中。此外，SU3017470YLB 的最大漏源电压为30V，适用于低压功率转换系统，如电池供电设备、电动车和便携式电子产品中的DC-DC转换器。
　　该MOSFET具备快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部电感和电容的尺寸，提升系统的响应速度和稳定性。其最大栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了与不同驱动电路的兼容性。同时，SU3017470YLB 的封装设计（如TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　在可靠性方面，SU3017470YLB 的工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业自动化、汽车电子和户外电源系统。其热阻低，有助于减少因温升导致的性能下降，从而延长器件的使用寿命。

SU3017470YLB 主要应用于高效率的电源管理系统和功率转换电路中。典型应用包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种类型的电源模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的应用场合，如笔记本电脑电源适配器、电动车充电器、工业控制电源以及LED照明驱动电路。
　　此外，SU3017470YLB 也可用于负载开关电路，控制高电流负载的开启与关闭，适用于服务器电源管理、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源控制模块。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDP3710, IPD90P03P4-03