时间：2025/4/30 20:59:08
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NTB52N10T4 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于需要高性能功率管理的应用环境。
这款 MOSFET 的设计使其能够在较高的电流密度下运行，并保持较低的功耗，从而为系统提供更高的可靠性和效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总栅极电荷：25nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
NTB52N10T4 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷，这使得它非常适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
4. 热稳定性强，在高温环境下也能保持稳定的工作状态。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保和无铅工艺生产。
6. 小型封装设计，便于 PCB 布局并节省空间。
NTB52N10T4 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，例如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机控制，如步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 和其他类型的电机驱动电路。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS)，用于锂电池保护和充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率切换解决方案。
NTBG10N10LLT4, IRLML6344TRPBF
