时间：2025/7/7 9:15:28
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SH21B683K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 TO-220，适合大功率应用环境。凭借其出色的电气特性和可靠性，SH21B683K250CT 成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=10ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SH21B683K250CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适应现代电力电子设备的需求。
3. 较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管，有助于简化电路设计并改善性能。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保与安全使用。
6. 优异的热性能，即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
SH21B683K250CT 可用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器的核心功率元件。
4. 逆变器和 UPS 系统中的功率输出模块。
5. 各类工业控制设备中的功率切换功能。
6. 大功率 LED 驱动电路中的开关组件。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5500
IXFN50N07T2
