SR10GS是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高压功率MOSFET,属于STripFET F系列。该器件采用N沟道增强型技术设计,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。SR10GS具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,在高效率和高性能应用中表现出色。
型号:SR10GS
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-220
漏源极电压(Vds):60V
栅源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):38A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C至+175°C
SR10GS采用了先进的工艺技术,具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用场合。
3. 快速开关性能,支持高频开关应用。
4. 较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
SR10GS适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 工业控制设备中的功率级模块。
6. 汽车电子系统中的电池管理与逆变器控制。
SR10GSP, STP38NF06L