时间：2025/8/5 13:30:05
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IXFH48N65X2是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用了先进的平面DMOS技术，提供了卓越的性能和可靠性，适用于各种高功率电子设备，如电源转换器、电机驱动器和工业自动化系统。这款MOSFET的封装设计使其能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：48A
最大漏-源电压：650V
导通电阻（Rds(on)）：通常为0.15Ω
栅极电压范围：±30V
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH48N65X2具备多项优越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，高最大漏极电流和漏-源电压额定值使该器件适用于高功率密度设计。该MOSFET的坚固封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，从而延长了器件的使用寿命。
另一个显著优势是其快速开关能力，减少了开关损耗，使得IXFH48N65X2在高频应用中表现出色。这使其成为开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用的理想选择。此外，其宽工作温度范围确保了在极端环境条件下仍能可靠运行。
IXFH48N65X2广泛应用于多个领域，包括工业自动化、电机控制、电源供应器、太阳能逆变器以及电动车驱动系统。它特别适合用于高功率开关电路，如PFC（功率因数校正）电路和H桥逆变器。此外，该器件还可用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品，如高端音频放大器和不间断电源（UPS）系统。
IXFH48N65B2, IXFH48N60Q2, IXFH48N60P2
