GA0805H273KBXBR31G 是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量和高速数据传输的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低功耗、高可靠性和稳定性的特点。它适用于各种消费类电子设备以及工业级应用,例如固态硬盘、网络存储设备和嵌入式系统等。
这款芯片基于 NAND Flash 技术,支持多级单元(MLC)或三级单元(TLC)存储架构,提供更大的存储密度和更长的使用寿命。
容量:256GB
接口类型:PCIe NVMe
工作电压:1.8V
数据传输速率:高达 3500 MB/s
擦写次数:3000 次(TLC)
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:169
GA0805H273KBXBR31G 具备以下显著特性:
1. 高速数据传输:支持 PCIe NVMe 接口,能够实现极高的读写速度,适合对性能要求较高的应用。
2. 低功耗设计:采用先进的制程技术,有效降低能耗,延长设备续航时间。
3. 大容量存储:提供高达 256GB 的存储空间,满足现代设备对大容量存储的需求。
4. 稳定性与可靠性:具备强大的纠错功能和磨损均衡算法,确保数据的安全性和芯片的使用寿命。
5. 广泛的工作温度范围:适应从极寒到高温的各种环境,适合多种应用场景。
GA0805H273KBXBR31G 芯片广泛应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
用于消费级和企业级 SSD 中,提供快速的数据访问和大容量存储。
2. 嵌入式系统:
适用于需要高速存储和低功耗的工业控制设备、医疗设备及车载系统。
3. 网络存储设备:
在 NAS(网络附加存储)和其他网络存储解决方案中发挥重要作用。
4. 移动设备:
如平板电脑和高端智能手机,为用户提供快速的文件存取和应用程序加载体验。
GA0805H273KBXBR31F, GA0805H273KBXBR31E