时间：2025/8/14 2:34:26
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LMBD3004SLT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的表面贴装型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）。该器件采用了先进的硅技术，具备快速开关性能和低正向压降，适用于高频率和高效能的电源转换应用。该二极管封装为SOD-123FL，体积小巧，适合在空间受限的电路中使用。
类型：肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
最大平均整流电流（IO）：400mA（0.4A）
正向压降（VF）：最大0.45V @ 200mA
峰值浪涌电流（IFSM）：1.5A
反向漏电流（IR）：最大100μA @ 30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOD-123FL
安装类型：表面贴装
LMBD3004SLT1G肖特基二极管具有多项优异特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低正向压降（VF）在200mA电流下最大仅为0.45V，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。这对于低电压、高效率的DC-DC转换器和电池供电设备尤为重要。
其次，该器件的快速开关特性使其适用于高频整流和开关电源应用。肖特基二极管没有传统PN结二极管的反向恢复时间（trr），因此在高频环境下表现更稳定，减少了开关损耗。
此外，LMBD3004SLT1G的最大平均整流电流为400mA，能够满足中低功率整流需求，同时其峰值浪涌电流可达1.5A，具备一定的过载承受能力。该器件的反向漏电流最大为100μA，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，适用于各种工业级和消费类电子产品。
该器件采用SOD-123FL封装，体积小巧、重量轻，便于在高密度PCB设计中使用。同时，其表面贴装封装方式有利于自动化生产，提高了制造效率和可靠性。
LMBD3004SLT1G广泛应用于多个电子系统和模块中，特别适合对效率和空间有较高要求的场合。常见应用包括：开关电源（SMPS）中的输出整流器、DC-DC转换器、电池充电电路、极性保护电路、信号整流电路以及消费类电子产品中的低功耗电源管理模块。
由于其低正向压降和快速恢复特性，该二极管非常适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源管理电路。在LED照明系统中，LMBD3004SLT1G也可作为续流二极管使用，以提高系统的整体效率。
此外，该器件还可用于工业控制、传感器模块、无线通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。
1N5819WS-13-F, SBM130LF-TP, LMBD3004SCT-1G
