类型：TVS 二极管
　　极性：单向
　　工作电压：3.3V
　　击穿电压（Min）：3.85V
　　击穿电压（Max）：4.26V
　　钳位电压（Max）：9.2V
　　峰值脉冲电流（IPP）：10.9A
　　功率耗散：300W
　　封装形式：SOD-882
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

LNZ8F3V3T5G 采用先进的硅雪崩技术，能够在极短时间内响应瞬态电压事件，从而有效保护下游电路不受损坏。其低钳位电压特性确保在瞬态事件发生时，被保护设备所承受的电压在安全范围内。该器件的响应时间通常小于1纳秒，使其能够应对快速变化的ESD事件。此外，LNZ8F3V3T5G具备优异的浪涌承受能力，额定功率可达300W，适用于多种严苛应用环境。
　　该TVS器件的SOD-882封装设计使得其在PCB上的占位面积非常小，适合用于空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其表面贴装结构也有助于简化制造流程并提高装配效率。此外，LNZ8F3V3T5G符合RoHS和无卤素环保标准，适用于对环保要求较高的应用领域。
　　在电气特性方面，该器件具有较低的漏电流，通常在正常工作条件下小于1μA，从而减少对系统功耗的影响。其高可靠性和长寿命设计确保在多次浪涌事件后仍能保持稳定的保护性能。此外，LNZ8F3V3T5G在设计上具有良好的兼容性，可与多种电源管理IC、接口IC和数据线驱动器配合使用，广泛适用于USB接口、HDMI接口、以太网端口等多种高速数据通信应用。

LNZ8F3V3T5G 广泛应用于需要对电子设备进行ESD和浪涌保护的各种场景。常见的应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、通信设备（如路由器、交换机、基站模块）、工业自动化控制系统、医疗设备以及汽车电子系统。特别是在USB接口、HDMI接口、以太网端口、音频/视频输入输出端口等高速数据传输线路中，LNZ8F3V3T5G 能有效防止静电和瞬态电压对敏感IC造成损坏。此外，它也常用于电源输入端的初级保护，为后级电路提供稳定的工作条件。

SMBJ3.3A, PESD3V3S1BA, ESDA3V3T1G