时间：2025/7/12 4:27:51
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SH21B471K201CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和优秀的开关特性，适用于各种电源管理及功率转换领域。
这款芯片通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用中。其卓越的热性能和可靠性使得它在严苛的工作环境中依然能够保持稳定运行。
型号：SH21B471K201CT
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：3500pF
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SH21B471K201CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 优化的开关性能，支持高频操作，适合现代高效的电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 热增强型封装设计，有助于改善散热效果。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，能够在极端温度范围内正常工作。
该芯片广泛应用于多种工业和消费电子领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP5512, STP40NF06
