晶体管类型：NPN 双极型晶体管（双管阵列）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极最大电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23（3引脚）
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据等级不同）
　　匹配性：基极-发射极电压匹配（ΔVBE）≤ 2mV
　　热跟踪匹配：≤ 0.3°C/W

LMBZ5262BLT1G 是一款专为高精度模拟应用设计的双NPN晶体管阵列，其核心优势在于其卓越的晶体管匹配性能。这两个晶体管是在同一硅芯片上制造的，确保了它们在电气特性和热特性上的高度一致性。这种匹配性对于构建高精度的电流镜、差分放大器和其他需要良好匹配晶体管的电路至关重要。
　　该器件采用了先进的工艺技术，使得晶体管的基极-发射极电压（VBE）失配极小，通常不超过2mV，从而显著降低了电路中的误差源。此外，晶体管之间的热跟踪性能也非常出色，热阻差异小于0.3°C/W，确保了在温度变化时两晶体管的性能保持高度一致，避免了因温度梯度引起的误差。
　　LMBZ5262BLT1G 的封装为小型SOT-23，适合高密度PCB布局。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适合中等功率模拟电路的应用。该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　该晶体管阵列还具有较高的频率响应能力，增益带宽积（fT）可达250MHz，适用于中高频模拟信号处理。此外，其电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，可在100至800之间选择，便于设计人员根据具体需求选择合适的器件进行电路优化。
　　由于其优异的匹配性和稳定性，LMBZ5262BLT1G广泛用于高精度运算放大器输入级、精密电流源、温度传感器、ADC/DAC接口电路以及各类需要晶体管匹配的模拟系统中。

LMBZ5262BLT1G 主要应用于需要高精度晶体管匹配和稳定性的高性能模拟电路中。例如，在高精度运算放大器的设计中，它可作为输入差分对管，显著提高放大器的共模抑制比（CMRR）和偏置电流稳定性。此外，它也常用于构建高精度的电流镜电路，确保输出电流与参考电流高度一致，适用于恒流源、偏置电路和传感器接口电路。
　　在传感器应用中，LMBZ5262BLT1G 的高匹配性和低温度漂移特性使其成为温度测量、压力检测和精密信号调理电路的理想选择。在模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）的接口电路中，该器件可用于构建低失真、高稳定性的前置放大器或缓冲电路。
　　此外，该器件还广泛应用于音频放大器、滤波器、振荡器和精密电源管理电路中。由于其小型SOT-23封装，适合在空间受限的便携式设备和高密度PCB设计中使用。同时，其宽工作温度范围也使其适用于汽车电子、工业控制和通信设备等严苛环境下的应用。

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　　 "LM394H",
　　 "MAT12",
　　 "CA3086",
　　 "PNX2907AL",
　　 "BCM847"
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