SSH11N90A 时间：2025/8/13 17:21:52 阅读：28

SSH11N90A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、开关电源（SMPS）和负载开关等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高频率开关操作。SSH11N90A具备较高的耐压能力，通常用于900V电压等级的电路中，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：900V
　　最大栅极电压（VGSS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：11A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约为0.55Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等
　　功率耗散（PD）：约40W（取决于封装和散热条件）
　　阈值电压（VGS(th)）：2V至4V

特性

SSH11N90A MOSFET采用先进的沟槽式MOS结构，具有较低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其高耐压能力（900V）使其适用于高电压应用，例如工业电源、光伏逆变器和高压DC-DC转换器。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。此外，SSH11N90A具有良好的热稳定性和较高的工作温度容忍度，能够在严苛环境下稳定运行。
　　该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统响应速度。其低栅极电荷（Qg）有助于降低驱动损耗，从而提高整体能效。此外，SSH11N90A还具有良好的短路和过载承受能力，适合用于需要较高可靠性的功率系统。由于其封装形式多样，包括TO-220和D2PAK等，因此便于在不同PCB布局中进行安装和散热管理。

应用

SSH11N90A主要应用于各类功率转换设备，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器和工业自动化控制系统。在LED照明驱动电路中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效率的恒流输出控制。在太阳能逆变器和储能系统中，SSH11N90A可用于高压直流输入的功率开关控制。此外，它还广泛用于家用电器、电动工具、智能电表以及工业电源模块中，作为高效能开关元件。由于其良好的耐压特性和导通性能，该器件也常用于需要频繁开关操作的负载控制电路中。