时间：2025/6/28 11:47:39
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SH18B223K100CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景，例如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等。其设计旨在提供出色的电流处理能力和快速的开关速度。
SH18B223K100CT 的封装形式为 TO-220，具有较高的耐用性和散热性能，能够适应各种恶劣的工作环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：70nC
开关时间：40ns
工作温度范围：-55℃ to +150℃
SH18B223K100CT 提供了非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，该器件具备高电流承载能力，使其非常适合用于高功率应用。此外，它还拥有快速的开关速度和较低的栅极电荷，这可以降低开关损耗并提升高频操作下的性能。
该芯片在高温下的稳定性也非常出色，能够在极端温度范围内可靠运行，适用于工业级或汽车级环境。此外，其抗雪崩能力较强，可有效防止因过压或瞬态现象导致的损坏。
SH18B223K100CT 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中作为功率输出级。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 各种保护电路中的快速响应开关元件。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP50N06L
