类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.9A
　　导通电阻（RDS(on)）：21mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TSOT26

ALM-2119-TR1G 具备出色的导通性能和快速开关特性，适用于需要高效能和小尺寸封装的应用场景。其低 RDS(on) 特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 在 4.5V 和 2.5V 的栅极驱动电压下均能稳定工作，适应多种驱动条件。此外，其 TSOT26 封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能，有助于在高电流条件下维持稳定运行。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
　　在动态性能方面，ALM-2119-TR1G 的输入电容（Ciss）为 320pF，输出电容（Coss）为 110pF，反向传输电容（Crss）为 14pF，这些参数确保了其在高频开关应用中的良好表现。栅极电荷（Qg）仅为 8.5nC，使得该器件能够在较低的驱动功率下实现高速开关，从而进一步提高整体系统效率。这种特性使其非常适合用于同步整流、负载开关和马达控制等需要频繁开关操作的应用场景。
　　从热管理角度看，ALM-2119-TR1G 的热阻（RθJA）为 143°C/W，确保在标准 PCB 布局下仍能有效散热。其最大结温为 150°C，允许在较宽的环境温度范围内可靠运行。TSOT26 封装采用表面贴装技术（SMT），有利于自动化生产并提高制造效率。该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力，增强了其在实际应用中的稳定性与耐用性。

ALM-2119-TR1G 广泛应用于各类电子设备中，特别是在对空间和能效有较高要求的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理电路、电池充电与放电保护电路、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及 LED 照明控制电路。由于其具备良好的高频响应和低导通电阻，也常用于同步整流和电源管理系统中的高边开关或低边开关应用。

AO4406A, FDS6680, Si2302DS, BSS138K