时间：2025/6/22 13:00:47
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SI4973DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于高频和高效能要求的应用场景。该器件封装为 ThinPAK 8x8，有助于节省电路板空间并提升散热性能。
SI4973DY-T1-GE3 在电源管理领域表现出色，其高效率和低损耗特性使其成为便携式电子设备、通信系统以及工业控制应用的理想选择。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1270pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：ThinPAK 8x8
SI4973DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用。
3. 超小封装尺寸，便于 PCB 布局设计。
4. 高度可靠，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代制造工艺。
6. 支持高达 36A 的连续漏极电流，满足大功率需求。
7. 内部集成防静电保护，增强产品耐用性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统（BMS），用于电动车和储能设备。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 通信基础设施中的信号调节与功率分配。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
7. 高效 LED 照明驱动电路。
SI4973DY-E3
SIH4973N-E3
IRF7822TRPBF
