ZTX384CSTZ是一款由Diodes Incorporated生产的NPN双极型晶体管,采用SOT-23封装形式。该晶体管适用于各种开关和放大应用,具有低饱和电压、高增益以及良好的高频性能等特性。
它在消费电子、通信设备及工业控制等领域有广泛的应用场景。
集电极-发射极电压:30V
集电极电流:200mA
直流电流增益(hFE):100~400
功率耗散:350mW
工作温度范围:-55℃~150℃
过渡频率(ft):300MHz
ZTX384CSTZ属于高性能的NPN晶体管,主要特性如下:
1. 高增益:其直流电流增益hFE范围为100到400,这使得它非常适合用于信号放大和驱动电路。
2. 低饱和电压:在典型条件下,该晶体管能够提供非常低的饱和电压,从而减少功耗并提升效率。
3. 小尺寸封装:采用SOT-23封装,节省了PCB空间,并且具备良好的热性能。
4. 宽工作温度范围:从-55℃到150℃的工作温度范围确保了其可以在极端环境下可靠运行。
5. 高速切换能力:由于其高达300MHz的过渡频率,使其可以应用于高速开关场景。
ZTX384CSTZ适用于以下应用领域:
1. 开关电路:如负载开关、电源管理中的MOSFET驱动器。
2. 放大电路:音频放大器、传感器信号调理等。
3. 消费类电子产品:手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的小型化设计。
4. 工业自动化:用作继电器驱动、电机控制以及其他需要小信号放大的场合。
5. 网络通信设备:路由器、交换机等设备中的高速信号处理部分。
ZTX384B, ZTX384D