输出电压：1.8V
　　 输入电压范围：2.3V至5.5V
　　 输出电流：300mA
　　 静态电流：45μA（典型值）
　　 电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz
　　 工作温度范围：-40°C至+85°C
　　 封装形式：SOT-23-5

SGM2047A-1.8XN5G/TR 采用先进的CMOS技术，具有极低的静态电流（仅45μA），非常适合对功耗敏感的应用场景。该器件在宽输入电压范围内（2.3V至5.5V）均可稳定工作，使其能够兼容多种电源管理系统。SGM2047A-1.8XN5G/TR 还具有较高的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达70dB，能够有效抑制输入电压中的噪声和纹波，为后级电路提供干净的电源。此外，该LDO具有良好的瞬态响应性能，能够快速响应负载电流的变化，保持输出电压的稳定。
　　在保护功能方面，SGM2047A-1.8XN5G/TR 集成了过温保护（OTP）和过流保护（OCP），在异常工作条件下可自动关闭输出，防止器件损坏。这不仅提高了系统的可靠性，也简化了外围电路的设计要求。由于其SOT-23-5的封装形式，该器件非常适合在空间受限的便携式电子产品中使用，如智能手机、穿戴设备、物联网传感器等。

SGM2047A-1.8XN5G/TR 广泛应用于需要稳定1.8V电源的电子系统中。常见应用包括微控制器（MCU）、射频模块（如蓝牙、Wi-Fi）、传感器接口、低功耗FPGA、电池管理系统以及各种便携式电子设备。其高PSRR和低静态电流特性使其成为高性能模拟前端（AFE）和射频前端（RFFE）的理想供电选择。此外，该器件也适用于需要多路电源管理的系统，用于为不同的功能模块提供独立的稳压电源。

LM1117-1.8, XC6206P182MR, HT7332-1