时间：2025/6/25 17:02:44
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YFW15N10AD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域，能够提供高效率和可靠的开关性能。其封装形式通常为TO-220或TO-252，具备较低的导通电阻和较高的开关速度。
该型号的MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性，同时优化了栅极电荷参数，降低了开关损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：18nC
总电容：350pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 较小的栅极电荷，支持高频开关应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 快速开关速度，适用于各种功率转换场景。
5. 热稳定性强，在高温环境下仍能保持良好的性能。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 充电器、逆变器等电力电子设备的核心功率器件。
6. 各类工业控制及汽车电子系统的功率管理模块。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP15N10
IXTP19N10P
