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HTN020N04P 发布时间 时间:2025/8/10 12:08:14 查看 阅读:24

HTN020N04P 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中。该器件采用高性能的MOSFET技术,具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适用于中高功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大20mΩ(典型值16mΩ)
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

HTN020N04P 是一款专为高效率功率转换系统设计的MOSFET。其核心特性之一是极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件支持高达40V的漏源电压,适用于多种中压电源应用。其高栅极电压容限(±20V)确保了在复杂开关环境下的稳定性和可靠性。
  此外,HTN020N04P 采用了热稳定性优良的封装设计,能够在高温环境下稳定运行,同时具备良好的散热性能,适合用于高密度功率模块设计。其N沟道结构支持快速开关操作,减少开关损耗,并提高系统的动态响应能力。
  该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力,能够有效防止因电压尖峰引起的损坏,从而提高系统的耐用性和安全性。适用于工业电源、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器以及负载开关等场景。

应用

HTN020N04P 主要应用于需要高效率和高稳定性的功率电子系统中。例如,在DC-DC转换器中作为主开关器件,用于提升转换效率和减小系统体积;在电机控制电路中用于高效驱动直流电机;在工业电源系统中作为负载开关或整流器件使用;以及在电池管理系统中用于充放电控制和保护电路。
  此外,该MOSFET还可用于高功率LED驱动、不间断电源(UPS)、逆变器、工业自动化控制设备以及汽车电子系统中的功率管理模块。

替代型号

TKA110E40N1,TN070N04P,TN070N04K

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