时间：2025/7/10 9:52:09
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SFM-107-T2-L-D-A 是一种表面贴装封装的功率MOSFET器件，主要用于高效能开关和负载控制。该型号属于增强型N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、马达驱动、电信设备以及消费类电子产品中。
其设计优化了导通电阻和栅极电荷特性，从而显著提高了效率并降低了功耗。同时，它具备出色的热性能和高可靠性，适合在高温环境下工作。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
导通电阻：8mΩ
栅源电压：±20V
总功耗：3.5W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SFM-107-T2-L-D-A 具有低导通电阻和快速开关能力，这使得它在高频应用中表现优异。此外，其优化的栅极电荷确保了更低的开关损耗，从而提升了整体系统效率。
该器件采用紧凑型表面贴装封装（SOT-227），便于自动化生产和焊接，同时也增强了散热性能。
由于其坚固的设计和严格的制造工艺，这款MOSFET能够承受较高的浪涌电流，并具有良好的ESD防护能力，非常适合要求严格的工作环境。
主要特点包括：
- 极低的导通电阻以减少传导损耗
- 高效的开关速度
- 宽广的工作温度范围
- 紧凑型封装节省空间
- 良好的热稳定性和耐用性
SFM-107-T2-L-D-A 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流
2. 电池管理和保护电路
3. 工业电机驱动和控制
4. 通信基础设施中的负载切换
5. 消费电子产品的电源管理模块
6. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统
7. 各种工业及汽车电子系统的功率控制
SFM-107-T2-H-D-A
SFM-107-T2-S-D-A
