时间：2025/6/28 22:57:18
阅读：6
1N5924B是一种硅雪崩整流二极管（Silicon Avalanche Rectifier Diode），广泛应用于电路中的瞬态电压抑制和保护功能。该二极管具有快速响应特性，能够在高电压瞬变情况下有效保护敏感电子元件。其设计允许在反向偏置条件下承受较大的瞬时功率脉冲，同时保持较低的漏电流和稳定的性能。
最大重复峰值反向电压：80V
最大平均正向电流：1电流：60A
正向电压（If=1A）：1.1V
反向漏电流（Vr=80V）：5uA
结电容：约4pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1N5924B的主要特性包括高可靠性、快速响应时间以及良好的热稳定性。
它能够在短时间内承受较大的浪涌电流，适合用于吸收电路中的瞬态电压波动。此外，它的低漏电流确保了在正常工作条件下的高效运行，并且能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作状态。
1N5924B通常用于电源电路、电机驱动器、通信设备以及其他需要电压保护的电子系统中。
具体应用包括过压保护、瞬态抑制、开关电源中的箝位二极管、逆变器中的保护元件等。此外，它还适用于汽车电子系统中，以防止由于负载突降或其他瞬态事件引起的电压尖峰对电路造成损坏。
1N5924
1N5924A
