时间：2025/6/23 13:47:12
阅读：4
CDR31BP820BKZSAT 是一款基于硅基技术的高性能功率MOSFET，主要应用于需要高效率、低功耗和高可靠性的电路中。这款器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高频开关应用中的卓越表现。
该功率MOSFET通常用于电源管理领域，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器等场景。通过优化的导通电阻和栅极电荷参数设计，能够有效降低功率损耗并提升系统整体性能。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vds)：820V
额定电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：65nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CDR31BP820BKZSAT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压高达820V，适合高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻：其典型导通电阻仅为0.15Ω，在大电流情况下可显著减少传导损耗。
3. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷，该器件能够在高频条件下保持高效运行。
4. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，保证在极端条件下的稳定性和耐用性。
5. 宽温度范围：支持从-55℃到+175℃的工作温度区间，适应多种恶劣工况。
6. 环保合规：符合RoHS标准，采用无铅封装材料，满足环保要求。
该功率MOSFET适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)：
- AC-DC适配器
- 工业用电源模块
2. 电机驱动：
- 电动车控制器
- 家电马达驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)
4. 电池保护与管理系统：
- 高压电池组的充放电控制
- 电动工具的电源管理
这些应用均依赖于其出色的电气性能和热管理能力。
IRFP260N
FDP18N80E
STW83N80DM3
