时间：2025/7/10 19:19:04
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FV31N102J102EEG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效功率开关的电路，例如电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器和电机驱动等应用。其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效率功率管理的理想选择。
该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。同时，它具备较高的耐压能力和较低的栅极电荷，有助于提高系统的整体能效。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：11nC（典型值）
开关时间：t_on=18ns，t_off=42ns（典型值）
结温范围：-55℃至175℃
1. 超低导通电阻设计，减少功率损耗。
2. 快速开关速度，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强系统可靠性。
4. 静电放电（ESD）保护功能，提高器件抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
6. 紧凑型TO-252封装，节省PCB空间。
7. 优秀的热稳定性，适合高温工作环境。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. LED驱动器中的负载控制。
4. 电机驱动中的功率控制。
5. 消费类电子产品的电池管理。
6. 便携式设备中的负载切换。
7. 工业控制系统中的功率级元件。
FDS6680A, IRF7406TRPBF, AO3400A
