时间：2025/4/25 15:42:06
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SI7252ADP-T1-GE3是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型DFN封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统的各种应用。其出色的性能使其在效率和空间受限的设计中表现出色。
漏源电压(Vds)：30 V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.25 V（典型值）
连续漏极电流(Id)：3 A
导通电阻(Rds(on))：3.5 mΩ（在Vgs=4.5V时）
导通电阻(Rds(on))：5.6 mΩ（在Vgs=2.5V时）
总功耗(Ptot)：820 mW
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1010-2
SI7252ADP-T1-GE3的主要特性包括超低导通电阻，能够在较低的驱动电压下实现高效的功率传输；其微型封装形式节省了PCB空间，非常适合小型化设计需求。
此外，该器件具有快速开关能力，能够减少开关损耗，并且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于对效率和尺寸要求较高的场合。
这款MOSFET广泛应用于多种领域，例如：
1. 便携式电子设备中的负载开关控制。
2. 各类DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 功率管理模块中的电源切换。
4. 电池供电系统中的高效能量传输。
5. 数据通信设备中的信号处理电路保护。
SI7252DDV, SI7252DP, SI7253ADP
