SEMIX205GD12E4 是一款由赛米控(SEMIKRON)生产的高性能IGBT模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管,适用于高功率密度和高效率要求的场合。SEMIX205GD12E4采用了先进的芯片封装技术和优化的热管理设计,确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):200A
工作温度范围:-40°C 至 150°C
短路耐受能力:典型值6μs
封装形式:SEMiX
芯片技术:FS3 IGBT 和 HERC4 二极管
栅极驱动电压:±15V 推荐
热阻(Rth):约0.35 K/W(模块至基板)
SEMIX205GD12E4 模块具有多项先进的技术特性,确保其在复杂应用环境下的可靠性和高效性。首先,该模块采用了赛米控第三代场截止(Field Stop III)IGBT芯片技术,显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高了整体能效。其次,反并联二极管采用HERC4(High Efficiency Reverse Conducting)技术,具备极低的正向压降和优异的软恢复特性,有助于降低电磁干扰(EMI)和提高系统稳定性。
此外,该模块采用了紧凑型SEMiX封装结构,具有良好的热管理性能,热阻较低,使得模块能够在高功率输出条件下保持较低的结温。模块内置的负温度系数特性使得在高温下能够实现更稳定的电流共享,适用于并联使用,提升系统的灵活性。
该模块还具有较高的短路耐受能力,支持在突发短路情况下保持稳定运行,提升了设备的可靠性和安全性。其标准化封装设计和兼容性强的安装尺寸,使得其在多种工业应用中具备良好的可替换性和兼容性。
SEMIX205GD12E4 模块广泛应用于各种中高功率电力电子系统中,包括工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等。由于其高集成度、优异的热管理和电气性能,该模块特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。在工业自动化控制领域,该模块可用于高性能伺服驱动器和感应加热设备。在可再生能源领域,该模块常用于光伏逆变器和风力发电变流器中,以实现高效的能量转换。
SEMIX201GB12E4、SEMIX205GB12E4、FS150R12W1T4_B11、SKM200GB12T4