型号：AM29F800BB-90SD
　　制造商：AMD
　　存储容量：8 Mbit (512 K x 16)
　　电压范围：3.0V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装类型：SOIC, TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（x16/x8）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦写次数：> 100,000 次
　　数据保持时间：> 20 年
　　扇区结构：底部扇区架构（1个8KB小扇区，其余为16KB/32KB大扇区）
　　待机电流：≤ 200 μA
　　读取电流：≤ 20 mA

AM29F800BB-90SD具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，其底部扇区架构（Bottom Boot Block Architecture）允许将关键的启动代码或BIOS存储在受保护的小扇区中，避免在系统更新过程中被意外擦除，从而提升系统的可靠性和安全性。这种灵活的扇区划分结构包括一个8KB的底部扇区和多个16KB或32KB的大扇区，用户可以根据实际需求选择擦除特定区域，而不影响其他数据。其次，该器件支持全芯片擦除和按扇区擦除两种模式，配合高效的命令集（通过写入特定地址序列触发），使得固件升级更加高效且可控。其内置的VPP电荷泵可在单电源供电下完成编程与擦除操作，无需外部提供高电压，简化了电源设计并降低了系统成本。此外，AM29F800BB-90SD具有自动擦除和自动编程算法，控制器只需发出起始命令，后续操作由芯片内部逻辑自动完成，减轻了主处理器负担，并提高了编程可靠性。为了防止误操作，该芯片还集成了硬件写保护引脚（WP#），当激活时可禁止对特定扇区的修改。同时支持软件数据保护机制，通过识别非法地址写入序列来屏蔽意外的命令输入，进一步增强数据安全性。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，满足工业级应用需求，在恶劣环境下仍能稳定运行。其CMOS工艺带来的低功耗特性也适用于电池供电或绿色节能型设备。最后，AM29F800BB-90SD完全兼容JEDEC标准的命令集和封装引脚定义，方便客户从同类产品平滑迁移或替换，减少重新设计PCB的风险。
　　值得一提的是，尽管该型号已逐步进入停产阶段，但在许多老旧但仍在服役的工业控制系统中仍有广泛应用，因此备件采购和技术支持依然重要。由于其基于较早的浮栅技术，不具备现代NOR Flash的快速写入或QSPI接口能力，但在稳定性、成熟度和成本方面仍具有一定优势。

AM29F800BB-90SD主要应用于需要可靠、持久存储的嵌入式系统环境中。典型应用场景包括工业自动化控制器（PLC）、网络通信设备（如路由器、交换机）中的固件存储、医疗仪器的配置参数保存、POS终端的启动程序存放以及老式消费电子产品（如DVD播放器、机顶盒）的BIOS存储。由于其具备底部扇区保护功能，特别适合用于存放不可丢失的引导代码，确保系统上电后能正常加载操作系统或初始化程序。在汽车电子领域，虽然当前新型车辆更多采用更高密度或串行接口Flash，但在部分辅助模块（如仪表盘、车身控制模块）中仍可见到此类并行Flash的使用。此外，该芯片也被用于测试测量设备、军工电子设备以及航空航天领域的地面支持系统中，这些场合对长期供货稳定性和环境适应性有较高要求。由于其并行接口特性，常与微控制器（MCU）、DSP或ASIC配合使用，构成完整的嵌入式处理平台。对于需要现场升级固件但又不追求极高写入速度的应用来说，AM29F800BB-90SD提供了良好的性价比和工程便利性。即使随着技术发展，许多新设计转向SPI NOR Flash或eMMC等方案，但在维护现有产线和替代老旧设备时，该型号仍然是重要的参考对象。

SST39VF800AB-90-4I-CASE
　　EON EN29LV800BB-90TCP