GA0805A390GBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适合在高频开关应用中使用。
这款器件封装为 TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能,同时其耐压能力高达 60V,适用于汽车电子、工业控制以及其他需要高可靠性的领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:42A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:110nC
反向恢复时间:80ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-263(DPAK)
GA0805A390GBABR31G 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 2.7mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著减少功耗并提高整体效率。
此外,它的栅极电荷较低,仅为 110nC,因此在高频开关应用中表现优异。芯片的工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 175℃,使其能够在极端环境下稳定运行。
此器件还具备快速的反向恢复时间(80ns),从而降低了开关损耗,并提升了系统的动态响应能力。整体上,这款芯片凭借其高效能和高可靠性成为许多设计中的理想选择。
GA0805A390GBABR31G 广泛用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- DC/DC 转换器
- 汽车电子系统中的电机驱动
- 工业自动化中的变频器与伺服驱动
- 太阳能逆变器
- 其他需要高效率功率开关的应用场景
GA0805A390GBABR32G
IRFZ44N
FDP5570
STP55NF06L