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GA0805A390GBABR31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:54:21 查看 阅读:8

GA0805A390GBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适合在高频开关应用中使用。
  这款器件封装为 TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能,同时其耐压能力高达 60V,适用于汽车电子、工业控制以及其他需要高可靠性的领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:110nC
  反向恢复时间:80ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263(DPAK)

特性

GA0805A390GBABR31G 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 2.7mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著减少功耗并提高整体效率。
  此外,它的栅极电荷较低,仅为 110nC,因此在高频开关应用中表现优异。芯片的工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 175℃,使其能够在极端环境下稳定运行。
  此器件还具备快速的反向恢复时间(80ns),从而降低了开关损耗,并提升了系统的动态响应能力。整体上,这款芯片凭借其高效能和高可靠性成为许多设计中的理想选择。

应用

GA0805A390GBABR31G 广泛用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC/DC 转换器
  - 汽车电子系统中的电机驱动
  - 工业自动化中的变频器与伺服驱动
  - 太阳能逆变器
  - 其他需要高效率功率开关的应用场景

替代型号

GA0805A390GBABR32G
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP55NF06L

GA0805A390GBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容39 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-