SE25T10B5.0D是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子应用中。该器件采用了先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低导通损耗和开关损耗。
该型号是N沟道增强型MOSFET,其额定电压为25V,最大持续电流可达10A(在特定条件下),非常适合用于需要高电流密度和高效能转换的应用场景。
额定电压:25V
最大持续漏极电流:10A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:45nC(典型值)
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
SE25T10B5.0D具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可以减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
3. 内置反向恢复二极管,有助于简化电路设计和提高可靠性。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
6. 采用坚固耐用的TO-220封装,便于安装和散热管理。
SE25T10B5.0D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统(BMS)
6. 其他需要高效功率切换的应用