容量：1 Mbit（128K x 8）
　　组织：128K x 8
　　供电电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：10 ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行（16位数据总线）
　　功耗：典型待机电流为 10 mA，工作电流为 100 mA
　　封装尺寸：约 13.5 mm x 21.5 mm
　　数据保持电压：最低 2.0V（用于数据保持）

DS1250YP-100IND 的核心特性之一是其高速访问时间，10 ns 的存取速度使其适用于对响应时间要求较高的系统，例如实时控制系统或高速缓存。该芯片采用 CMOS 技术，具有较低的静态功耗，在待机模式下电流消耗仅为 10 mA 左右，非常适合电池供电设备或低功耗嵌入式系统。
　　此外，该SRAM支持宽电压范围操作，可兼容3.3V和5V系统，增强了其在不同硬件平台中的适用性。其自动低功耗模式可在没有数据访问时自动进入低功耗状态，进一步减少能耗。DS1250YP-100IND 还具备数据保持功能，在电源电压下降到2.0V时仍能保持存储数据不丢失，确保系统断电时关键数据的安全性。
　　该器件的封装形式为TSOP，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其16位并行接口支持快速数据传输，广泛用于需要高速缓冲存储的场合，如网络交换机、路由器、工业控制设备等。

DS1250YP-100IND 主要应用于需要高速数据存取和低功耗特性的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括：网络设备中的高速缓存、路由器和交换机的数据缓冲、工业控制系统中的临时数据存储、测试仪器的高速数据采集、通信模块中的数据缓存等。
　　由于其支持低电压数据保持功能，该芯片也常用于需要非易失性存储的系统中，例如带有备用电池的嵌入式控制器、智能仪表、安防设备和工业自动化系统。在这些应用中，即使主电源断开，SRAM中的关键数据仍能在低功耗状态下保持不变，从而确保系统重启后能够快速恢复运行。

DS1250Y-100IND, CY62148E, CY62147E, AS7C31026C, IS61LV25616AL