类型：双二极管
　　最大重复峰值反向电压：100 V
　　最大平均正向电流：100 mA
　　最大反向电流：100 nA（@ 100 V）
　　正向压降：1.25 V（@ 100 mA）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236）

BAV199W T/R具备多项优良特性，使其适用于广泛的小信号处理和开关应用。首先，其双二极管结构设计可在一个封装中实现两个独立的二极管功能，节省了PCB布局空间，提高了电路设计的灵活性。每个二极管的最大重复峰值反向电压为100V，最大平均正向电流为100mA，能够胜任中低功率的整流和开关任务。
　　其次，该器件具有较低的反向漏电流（最大为100nA @ 100V），在高温或高压环境下仍能保持良好的稳定性，适用于对漏电流敏感的电路保护应用。正向压降为1.25V（@100mA），虽然略高于肖特基二极管，但在硅二极管中属于正常范围，确保在正常工作条件下保持较低的功率损耗。
　　此外，BAV199W采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化生产流程。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行，符合工业级和汽车电子的可靠性要求。
　　该器件还具有良好的焊接性能和长期稳定性，能够满足高可靠性应用场景的需求，如电源管理、信号隔离、极性保护、逻辑电路控制等。

BAV199W T/R适用于多种电子系统和模块中的关键功能实现。常见的应用包括信号整流电路、极性保护电路、电平转换电路、逻辑门控制、LED驱动电路、电源管理单元、通信设备中的开关电路等。在工业控制设备中，它可用于继电器驱动和反馈保护；在消费类电子产品中，可用于USB接口保护、充电管理电路中的极性反接保护；在汽车电子系统中，也可用于信号处理和控制电路的整流与隔离。此外，由于其双二极管结构，BAV199W也常用于构建OR逻辑门电路，用于多电源系统中的自动电源选择。由于其SOT-23封装体积小，适合用于高密度PCB设计，广泛应用于便携式设备、智能家居控制模块、无线通信模块等场景。

1N4148W-7-F, BAV99W, BAV21LT1G, BAV199LT1G