类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）@25℃：8.2A
　　导通电阻 Rds(on) @4.5V：28mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @2.5V：34mΩ
　　输入电容（Ciss）：520pF
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：PowerFLAT 5x6-8

SDR528SMSS 具备多项显著特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。在 4.5V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 28mΩ，在 2.5V 下为 34mΩ，这种低 Rds(on) 特性使其适用于低电压驱动电路，如电池供电设备和低压 DC-DC 转换器。
　　其次，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力。在 25℃环境温度下，最大连续漏极电流可达 8.2A，适合用于高功率密度设计。此外，其热稳定性良好，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统可靠性。
　　该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，并减少了寄生电感效应，使其适用于高频开关应用。输入电容仅为 520pF，有助于降低驱动损耗并提高开关速度。
　　SDR528SMSS 采用 PowerFLAT 5x6-8 封装，具有良好的散热性能，能够有效管理功率损耗带来的热量。这种封装形式也支持紧凑型 PCB 设计，适合空间受限的应用场景，如笔记本电脑电源适配器、小型电机控制器和便携式电子设备。
　　此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，满足现代电子产品对环保材料的要求。

SDR528SMSS 广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC 转换器和负载开关、电池管理系统（如便携式设备的电源控制）、电机驱动和继电器驱动、电源管理模块以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、紧凑型电源设计的理想选择。

STM528S, SDR528SM, SDR528SMT