时间：2025/9/14 21:28:26
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PMZB200UNEYL 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.1A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（最大值）
功率耗散（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：DFN5x6（双扁平无引脚封装）
安装方式：表面贴装（SMD）
阈值电压（Vgs(th)）：0.5V 至 1.0V
PMZB200UNEYL 具备多项优异的电气和热性能，适用于高密度和高效能的电源设计。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。器件的沟槽式栅极结构优化了开关性能，实现了快速的导通和关断响应，减少了开关损耗。
该MOSFET采用DFN5x6封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，其表面贴装封装形式便于自动化生产和焊接，提高了制造效率。
PMZB200UNEYL 还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了在各种环境条件下的可靠运行。同时，±12V的栅源电压耐受能力增强了其在复杂驱动电路中的适用性，减少了栅极击穿的风险。
该器件的低阈值电压（Vgs(th)）允许使用较低的驱动电压，从而降低了驱动电路的功耗，提高了系统能效。此外，低栅极电荷（Qg）进一步优化了开关速度，使其适用于高频开关应用。
PMZB200UNEYL 广泛应用于各种电源管理和功率控制领域，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备、电机控制电路、工业自动化设备以及LED照明驱动器等。
在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减小电路体积。在负载开关应用中，PMZB200UNEYL 可作为高效开关元件，实现对负载的精确控制和快速响应。
由于其优异的热性能和可靠性，该MOSFET也适用于需要高稳定性的工业控制系统，如PLC、传感器模块和电源分配单元。在电池管理系统中，PMZB200UNEYL 可用于保护电路和充放电控制，确保电池组的安全运行。
此外，该器件也适用于电机驱动电路中的H桥结构，提供高效的电机控制能力。在LED照明应用中，它可作为恒流驱动电路的开关元件，实现高效节能的照明解决方案。
PMZB200UN, PMZB200UPE, PMZB200UP
