K2223 时间：2025/8/8 20:17:32 阅读：27

K2223 是一款 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和开关电路中。该器件以其高效率和良好的热稳定性而著称，适用于需要高电流和高电压的功率应用。K2223 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在较高的功率水平下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

K2223 是一款高性能的功率 MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的栅极驱动电压相对较低，适合用于各种逻辑电平的开关控制电路。
　　K2223 具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温环境下稳定工作。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中不会出现过热现象。
　　此外，K2223 的开关速度较快，能够有效地减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其高耐压能力和较大的连续漏极电流能力使其在电源管理、电机驱动、电池充电器等领域得到了广泛应用。
　　该器件还具有较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行。其封装设计符合行业标准，便于安装和更换，适用于多种电路设计。