时间：2025/9/14 1:57:17
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PSMN017-30EL,127 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。该器件采用LFPAK封装技术，提供优良的热性能和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：1.7mΩ（最大值）
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PSMN017-30EL,127 MOSFET采用先进的Trench技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其在高功率应用中表现优异。该器件的LFPAK封装技术提供优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统效率。该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了在高应力工作条件下的可靠性。
PSMN017-30EL,127 适用于多种功率电子设备，如同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制和电源管理单元。它也常用于服务器电源、电信设备、工业自动化和汽车电子中的高效率电源系统。
PSMN023-30PL,118; PSMN039-30PL,118; IPP045N03LG
