时间：2025/4/28 16:48:47
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SCV4276DS50R4G是一款基于硅 carbide（SiC）技术的高压功率MOSFET，主要应用于高效率、高频开关场景。这款器件具有出色的热性能和电气特性，能够在极端条件下提供稳定的运行表现。
该型号采用了先进的沟槽式结构设计，从而实现了低导通电阻和快速开关速度。其封装形式为TO-247-3，能够有效散热并支持大电流操作。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
SCV4276DS50R4G具备以下关键特性：
1. 高压能力：支持高达1200V的漏源电压，适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻：仅为4mΩ，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度：得益于小的栅极电荷和输出电荷，可实现高频工作模式。
4. 高温适应性：可以在最高175℃的工作温度下稳定运行，非常适合对可靠性要求较高的工业环境。
5. 小型化与高效散热：采用TO-247-3封装，既保证了良好的散热性能，又减少了整体体积。
6. 硅碳化物技术：利用SiC材料的优势，提升了功率密度及耐久性。
该芯片广泛适用于各种需要高性能功率转换的场合，包括但不限于：
1. 太阳能逆变器：在光伏系统中用于直流到交流的高效能量转换。
2. 电动汽车充电站：作为核心功率器件，实现快速充电功能。
3. 不间断电源（UPS）：保障电力供应稳定性的同时提高能效。
4. 工业电机驱动：控制电机转速与方向，满足精确调节需求。
5. 高频DC-DC转换器：为通信基站等设备提供可靠电源支持。
CMF20120D, CSD19536KCS, SCT30N120
