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PT7M820118BTD3E 发布时间 时间:2025/8/24 17:55:47 查看 阅读:5

PT7M820118BTD3E 是一颗由 Diodes 公司推出的低电压、双路、单刀双掷(SPDT)模拟开关芯片,适用于需要高频信号切换的应用场景。该器件采用 1.65V 至 5.5V 的宽电源电压范围,支持低功耗操作,适合用于便携式设备、通信设备和消费类电子产品。

参数

类型:模拟开关
  通道数:2(双路)
  开关配置:SPDT(单刀双掷)
  电源电压范围:1.65V - 5.5V
  导通电阻(R_ON):最大 0.4Ω
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TDFN-10

特性

PT7M820118BTD3E 具备多项优异特性,包括宽电源电压范围(1.65V 至 5.5V),使其适用于多种电源管理应用场景。该器件的导通电阻极低,最大值为 0.4Ω,从而确保信号在切换过程中损耗极小,保持信号完整性。其双路 SPDT 配置允许用户在两个输入/输出之间进行切换,适用于音频、视频和数据信号的路由控制。
  此外,PT7M820118BTD3E 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,具备良好的热稳定性和工业级可靠性。该器件采用 TDFN-10 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。由于其低功耗特性,它非常适合用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。
  此模拟开关还具备快速开关能力,支持高频信号的切换,频率响应范围较宽,适合用于 RF 或高速数据线路的切换控制。同时,其低漏电流设计有助于减少不必要的能耗,提高系统整体能效。

应用

PT7M820118BTD3E 广泛应用于多个领域,包括便携式电子设备、音频/视频信号切换、数据通信设备、电源管理模块以及工业控制系统。在智能手机和平板电脑中,它可以用于切换耳机或扬声器输出。在通信设备中,可用于 RF 信号路径的控制。此外,该器件也可用于测试设备中的信号路由选择,提高测试效率和灵活性。

替代型号

TS5A2066DCUR, DG9421EY-T1-GE4

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