时间：2025/8/2 6:34:17
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DMN1014UFDF-7 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 100V 的漏极-源极击穿电压（Vds）和 -4.1A 的连续漏极电流（Id）。该器件适用于高侧负载开关、DC/DC 转换器、电源管理以及电池供电设备等应用。其封装形式为 8-Pin TDFN，尺寸小巧，适合空间受限的设计。
Vds (漏源电压)：100V
Id (连续漏极电流)：-4.1A（Vgs= -10V）
Rds(on)：典型值为 0.045Ω（Vgs= -10V）
栅极电荷 (Qg)：12nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TDFN-8
DMN1014UFDF-7 具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，有助于减少功率损耗并提高效率。其高栅极击穿电压和出色的热稳定性使其在高功率密度应用中表现出色。此外，该器件的快速开关能力有助于减少开关损耗，提高系统性能。其 TDFN 封装提供了良好的散热性能，适合在高电流应用中使用。
该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力和过热保护特性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。其低栅极电荷（Qg）设计也有助于提高开关速度并减少驱动损耗。DMN1014UFDF-7 还符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
DMN1014UFDF-7 广泛应用于电源管理系统、笔记本电脑和手持设备的负载开关、DC/DC 转换器、同步整流器、电池充电器和 LED 照明控制电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的便携式电子设备和工业控制系统。
Si7165DP-T1-GE3, IRML2803, FDC6303P, NTR4141P
