SKT330/16E 是一款由东芝(Toshiba)生产的高功率双极晶体管(BJT),主要用于高电压和高电流应用,例如工业电源、电机控制和电力电子设备。这款晶体管采用了先进的硅技术,具有较高的可靠性和稳定性,适用于需要高功率处理能力的场合。SKT330/16E 的设计使其能够在高电压和大电流条件下保持良好的性能,因此在许多工业和自动化系统中得到广泛应用。
晶体管类型:NPN 双极晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):1600 V
最大集电极电流(IC):30 A
最大功耗(PD):200 W
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-247
增益(hFE):典型值为 8 至 50
过渡频率(fT):典型值为 4 MHz
集电极-基极击穿电压(VCBO):1600 V
发射极-基极击穿电压(VEBO):30 V
SKT330/16E 具有多种优良的电气和热性能,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高达1600V的集电极-发射极电压(VCEO)和集电极-基极电压(VCBO)使其适用于高电压环境,能够承受较大的电压波动而不影响正常工作。其次,最大集电极电流(IC)为30A,使得该晶体管可以驱动较大的负载,适用于电机控制、逆变器等需要高电流的应用。此外,SKT330/16E 的最大功耗为200W,具有良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。
该晶体管采用TO-247封装,具有良好的机械稳定性和热管理能力,便于安装和散热设计。其增益范围为8至50,提供灵活的放大能力,适用于不同类型的功率放大和开关应用。过渡频率(fT)为4MHz,表明其在高频条件下仍能保持较好的放大性能,适用于中高频功率变换器和开关电源应用。
此外,SKT330/16E 具有良好的热稳定性,最大工作温度可达150°C,确保其在高温环境下仍能正常工作。发射极-基极击穿电压(VEBO)为30V,提供了良好的保护性能,防止因过压而导致的损坏。综合来看,SKT330/16E 是一款适用于高电压、高电流、高功率应用的高性能双极晶体管。
SKT330/16E 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统。常见的应用包括工业电源、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊设备、感应加热系统以及各种类型的高功率开关电路。由于其优异的电气性能和热稳定性,该晶体管也常用于自动化控制系统、电力电子转换器以及工业自动化设备中的功率放大和开关控制电路。此外,SKT330/16E 还可用于音频放大器和高频功率放大器的设计,适用于需要较高功率输出的音响设备和工业通信系统。
2SC5200, 2SD880, MJ15003G