时间：2025/8/15 0:06:40
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SBT40100VFCT是一种高功率、高效率的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于需要高电压和大电流能力的电源管理应用。该器件由Vishay Siliconix制造，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于如DC-DC转换器、电源供应器和电机控制等高功率应用环境。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
工艺技术：沟槽型
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：40A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔
SBT40100VFCT具备多项高性能特性，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。其低导通电阻可减少导通损耗，提高系统效率。沟槽型技术确保了良好的热性能和优异的电流处理能力，同时在高频开关应用中表现出色，从而减少开关损耗。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其在各种驱动条件下更加稳定可靠。
此外，该MOSFET具有优良的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。其封装设计（TO-220AB）提供了良好的散热能力，便于与散热片配合使用，以进一步提高热管理效率。这种器件还具有较高的短路耐受能力，增强了其在严苛工作条件下的可靠性。
由于其高性能参数和稳定性，SBT40100VFCT广泛应用于工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、电机控制和电池管理系统等高端电子设备中。
SBT40100VFCT主要用于需要高功率和高效率的电源管理系统。常见应用包括DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。该器件还可用于电动汽车的充电电路、储能系统和高功率LED照明驱动电路。
SiHF40N100D | FQA40N100 | IXFH40N100 | SPP40N100C3 | FDPF40N100
