类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

3DG4003晶体管具有良好的高频响应能力，使其在射频（RF）和中频（IF）放大电路中得到广泛应用。其较高的电流增益（β值）可以在低电流条件下实现有效的信号放大，适用于小信号处理电路。此外，该晶体管具有较低的饱和压降，有助于提高开关效率，减少功耗。封装形式通常为TO-92或类似的塑料封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。
　　在制造工艺上，3DG4003采用了硅基双极型工艺，具有良好的稳定性和可靠性。其设计支持在较宽的温度范围内稳定工作，适合各种工业和消费类电子产品。晶体管的引脚排列通常为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），用户在使用时需要注意正确的连接方式以避免损坏器件。
　　此外，3DG4003还具有较好的线性特性，适用于模拟放大电路中的偏置设计。其输入和输出阻抗特性也较为适中，便于与其他电路元件进行匹配。

3DG4003常用于音频放大、高频信号放大、开关电路以及各种通用模拟和数字电路中。在无线电接收设备中，它可以作为前置放大器使用，提高信号的强度。在电源管理电路中，该晶体管可用于实现简单的开关控制功能。此外，在传感器信号调理电路中，3DG4003也可以作为信号放大和缓冲器件使用。由于其良好的频率响应特性，它还被广泛应用于中频（IF）放大器和射频（RF）前端电路中，适用于通信设备、工业控制设备以及消费类电子产品。

2N3904, BC547, 9013, 2SC1815