类型：P沟道
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-500mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-1.4A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 -1.0V，最大值 -2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 75mΩ @ VGS = -10V；最大 95mΩ @ VGS = -4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值 85pF @ VDS = -15V, VGS = 0V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 16ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：典型值 350mW

DMN4040SK3采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备优异的电气性能与热稳定性，能够在小尺寸封装下提供高效的开关能力。其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现，尤其适合用于电池供电设备以延长续航时间。该器件的阈值电压较低，可在-1.0V至-2.0V之间可靠触发，支持直接由逻辑信号驱动，例如与3.3V或5V微控制器输出兼容，无需额外的电平转换电路。此外，由于是P沟道结构，它非常适合用作高边开关，在电源路径控制中可简化设计并减少外围元件数量。
　　该MOSFET具有快速的开关响应时间，开启延迟仅为4ns，关断延迟为16ns，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压变换器中的上管开关等。输入电容低至85pF，进一步减小了驱动电路所需的能量，有利于降低驱动损耗并提升系统响应速度。器件的额定工作结温可达+150°C，并具备良好的热保护特性，确保在高温环境下仍能稳定运行。同时，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模电子产品制造。
　　DMN4040SK3通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，保证长期使用的稳定性与安全性。其符合无铅（Pb-free）和RoHS指令要求，适应现代绿色电子产品的环保需求。总体而言，这款P沟道MOSFET以其小体积、高性能和高可靠性，成为众多消费类电子、通信模块、便携式仪器和嵌入式控制系统中理想的功率开关选择。

DMN4040SK3主要用于便携式电子设备中的电源管理与开关控制，典型应用场景包括锂电池供电系统的充放电保护电路、USB电源开关、低电压DC-DC转换器中的高边开关、LED背光驱动电路以及各类需要逻辑电平控制的负载开关设计。其小封装特性也使其广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机、无线传感器节点等对空间和功耗敏感的产品中。此外，还可用于信号路由切换、电机驱动中的短时控制开关以及工业控制模块中的隔离开关功能。

AO3401A
　　Si2301DS
　　FDS6670A