时间：2025/8/2 2:43:48
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CS1N60C23HD是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的高压工艺制造，具备高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，适用于AC/DC电源、DC/DC转换器、LED驱动器、电机控制等多种高效率功率电路。CS1N60C23HD采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：2.3A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：2.3Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±30V
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CS1N60C23HD具备优异的高压击穿耐受能力和较低的导通损耗，使其在高电压应用中表现出色。该器件采用先进的平面工艺技术，确保了良好的稳定性和耐久性。其导通电阻较低，有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，CS1N60C23HD具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。该器件的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于高温环境下的长期运行。
CS1N60C23HD在过载和短路条件下具有较高的鲁棒性，能够承受瞬时高电流和电压应力，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路设计，便于集成和使用。
CS1N60C23HD常用于开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器、逆变器、充电器、适配器等功率电子设备中。它适用于需要高压操作和中等功率输出的场合，如家用电器、工业自动化设备、通信电源、智能电表等应用场景。该器件在高效率、小体积和高可靠性要求的系统中具有良好的适应性。
FQP1N60C、IRF820、APT1N60C2LLR、STF1N60DM2
