EMB45N06G 时间：2025/7/25 16:42:06 阅读：24

EMB45N06G是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。这款器件采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和卓越的热性能，适用于如DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在各种电路中集成。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：45A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

EMB45N06G的主要特性包括极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。
　　该器件支持高电流负载，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，EMB45N06G的栅极驱动设计优化，确保了快速的开关性能，减少了开关损耗。
　　其坚固的封装形式不仅提供了优异的散热性能，还增强了器件的机械强度。
　　EMB45N06G还具备良好的短路耐受能力，为电源系统提供了更高的可靠性。

应用

EMB45N06G广泛应用于各种电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器和电机控制器。
　　它也常用于电池供电设备中的电源管理模块，以实现高效的能量转换。
　　在工业自动化和汽车电子领域，EMB45N06G用于高可靠性的电源开关和负载管理。
　　此外，该器件适用于高电流负载的开关应用，如LED照明驱动器和功率放大器。
　　其优异的性能也使其成为服务器和通信设备中电源模块的理想选择。